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サムスンがプロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始!

1 : 男色ドライバー(家):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:3uCFOaCNP ?PLT(12010) ポイント特典

SAMSUNG、プロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始

SAMSUNGは8月5日付けプレスリリースにおいて、3次元立体構造を採用したVertical型3次元NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。
NANDフラッシュは、これまでプロセスルールの微細化により、容量の増加およびビット単価を抑えてきた。

しかし、プロセスルールはすでに10nm世代へと突入。
微細化の限界に近づいており、既存の平面構造では大幅な容量増加が難しくなっている。
そこで新たな方法として注目されているのが、メモリセルを多段積層する3次元NANDフラッシュメモリだ。

今回発表されたVertical型3次元NANDフラッシュメモリは、1チップあたり最大128Gbitの大容量を実現。
また独自実装技術を採用することで、10nm世代のNANDフラッシュに比べて、2〜10倍という高い信頼性を確保している。

なおSAMSUNGによれば、今後さらに積層段数を増やし、1チップあたり1TbitのNANDフラッシュも視野に入れているとのこと。

http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2013/0806/39876
http://www.gdm.or.jp/wp/wp-content/uploads/2013/08/V-NAND_1024x768-300x225.jpg

依頼
http://hayabusa3.2ch.net/test/read.cgi/news/1375784613/3

2 : ミドルキック(大阪府):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:5lGmk6XM0
これアカンやつや…

3 : チェーン攻撃(芋):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:oC4Hx/bh0
ネトウヨ死亡www

4 : エルボーバット(アメリカ合衆国):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:8VDI1WEJ0!
設計開発は日本人とかアメ公、ヨーロッパ人なんだよなぁ〜

チョンには無理やし

5 : ジャンピングパワーボム(茸):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:iHL+J6X4P
GByteで語れよ

6 : セントーン(関東・甲信越):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:D671kTH0O
静電気と熱の問題はクリアできてるの?
なら楽しみだが

7 : ビッグブーツ(群馬県):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:8g4Euvt30
サムスン“凋落”の予兆… 韓国経済直撃、「デフォルト」の恐怖
http://hayabusa3.2ch.net/test/read.cgi/news/1375754858/

8 : ミドルキック(神奈川県):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:KbYcRG8j0
> 3次元立体構造を採用したVertical型3次元NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。

いいんだけどさ
なんで何年何月何日という大事な情報が無いの?
まさか決まってないの?

9 : 超竜ボム(WiMAX):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:RvW2LPpj0
>>8
もうガチャンコガチャンコ作っている最中なんだよ。

10 : デンジャラスバックドロップ(千葉県):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:WGURJm1r0
サムチョン限界突破!
なんかかっこいいなw

11 : ジャンピングパワーボム(茸):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:+Gb7k5eqP
>>8
開始と言っているんだから作ってる最中だろ
日本語読めないの

12 : ダブルニードロップ(チベット自治区):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:BMcrYv5/0
インテルとかも相当前から研究してなかったっけ?

13 : キャプチュード(やわらか銀行):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:Oq8KsB+i0
寿命と発熱はどうなん?

14 : シューティングスタープレス(岡山県):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:R7jbAOLb0
121 名前:Socket774[sage] 投稿日:2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:kps2DUQV
今までTCAT(T-A-N-O-S)と呼ばれてた物みたいだな
浮遊ゲート方式でなく、Charge-Trap方式を採用したのが大きいか
従来みたいに全体で電荷をチャージでなく、場所を分けて記録する
雑に言えばSLCみたいな物だからな

15 : ヒップアタック(新潟県):2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:ZFjNRrb+0
また飛ばしか

16 : ジャーマンスープレックス(愛知県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:5xbLoon00
ネトウヨはまた敗北したの?
一体いつになったら勝てるの?

17 : ドラゴンスクリュー(三重県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:mG5dHS/A0
自分ホルホルしていいっすか

18 : トラースキック(アラビア):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:HuhoLTP10!
10nmって2年前の半分のサイズだけど
ここまでやるなら普通のSLC量産してほしいわ

19 : 張り手(空):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:gFLJeqf0i
10nmの時点でもIntel超えてるのに
どこまでいくんや

20 : ハーフネルソンスープレックス(兵庫県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:DZl5RpdH0
歩留まりの問題が大きそう。製造原価は下がらない。
発熱の問題は、動作速度を落とすしか対応方法がない。

省スペースの用途にはいいかもしれないが、それ以外の用途は、ちょっと無理。

21 : ミラノ作 どどんスズスロウン(宮城県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:OOtHS1Fu0
3D integration はホントに大変だからサムスンが出来たら凄いと思う
歩留まりはどれぐらいなんだろう?

22 : エルボーバット(茸):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:ACPW+JJV0
ええもん、オレ、量子効果で∞倍の容量入れれるメモリ開発したるから。
要は量子コンピューターと一緒ってこと。

23 : 腕ひしぎ十字固め(大阪府):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:/FtLVoZU0
マカロニやってた東芝は結局先超されたんか

24 : リキラリアット(茸):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:eJdic2Hr0
東芝はNANDの次世代としてReRAMを開発者しているようだね。

サムスンの積層による大容量化とコストではどっちが有利になるのかな?
当然、コストには歩留まりが大きく影響するけど、どっちが歩留まりいいのかな?

http://www.asahi.com/tech_science/nikkanko/NKK201307180015.html

25 : キドクラッチ(大阪府):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:FSeUBtIn0
TLC並みの耐久性なんだろ

26 : タイガースープレックス(岡山県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:bVBa+BzY0
>>24
今回の奴は3D化とチャージ・トラップ方式を組み合わせた
NAND-FlashMemory延命用の物、コスト云々より次世代メモリまでの繋ぎだな

富士通&Spansion、Micron(ELPIDA)もSTT-MRAMの技術開発をしているし
SamsungもSTT-MRAMの450mmウェハーを調達しているみたいだし
来年は次世代不揮発メモリの黎明期になるかもね

27 : 河津落とし(新疆ウイグル自治区):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:t2mD1COG0
どこかで微細化から3次元化に舵を切ったほうがコストが安くなって正解なんだが
いまがそのタイミングかどうかはSamsung自身を含めてまだ誰も知らない

28 : 頭突き(芋):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:aZLm7sCh0
これでどのくらい
普及帯CPUへの 8GB 2ch メモリ 内蔵が近づく?

29 : 河津落とし(新疆ウイグル自治区):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:t2mD1COG0
>>28
無関係

30 : キチンシンク(神奈川県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:vChcFmbR0
東芝糸冬了www

31 : キチンシンク(神奈川県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:vChcFmbR0
>>26
半導体なんて「◯◯の時代はおわりだ、これからは△△だ」なんていわれても、
結局その△△のほうがものにならず◯◯を延命ってのをずっと続けてるのがたくさんあるけどね

エルピーダはポストフラッシュの技術を追い求めてそれが失敗して、結局Flash生産まであきらめたのが
あとあと倒産に繋がった

東芝はエルピーダの失敗を繰り返すのか?

32 : リキラリアット(茸):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:eJdic2Hr0
>>31
半導体事業は博打だねー。
伸るか反るか。
経営者に技術の目利きが凄い求められる。

33 : キン肉バスター(新疆ウイグル自治区):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:p30xROH70
これから先、ウォッチとかグラスとか体につける機器に移行するのに
韓国製とか中国製とか発熱発火したらそれで終了だろ。
スマホと違って逃げられないよ。次世代の機器は。

34 : サソリ固め(兵庫県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:Ot9at1Ka0
まあうんこでも盛ってるんだろう

高い信頼性を確保している。←ここ重要

35 : ムーンサルトプレス(千葉県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:LgUoPuOc0
>>31
微細化しようとすると電荷が保持できなくなると言う問題は
DRAMやNANDフラッシュメモリでは実際深刻になってるから
次世代メモリや3次元に手を出すのは仕方ないこと

36 : ラ ケブラーダ(福岡県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:QizK4H7A0
>>4
その日本人におまえみたいな無能は含まれないから心配するなよww
それより日本の足引っ張ってる事自覚して出て行ってくれwww

37 : クロスヒールホールド(福島県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:3pDf2z8S0
多値化みたいなデメリットがなければいいんだけど。

38 : 急所攻撃(catv?):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:EIJ2cMD30
東芝も潰されるのか。

39 : 河津掛け(青森県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:6ltBM6bs0
これはサムスンがこの分野で突出というニュースで理解していいのか?
日本のメーカーは何やっている?

40 : シャイニングウィザード(WiMAX):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:iQp1gnjC0
これSLCを親ガメ子ガメって認識で良いの?
積層される毎にMLC-3bit,4bit,,,,8bitとか増えるんだろうか。

41 : 急所攻撃(catv?):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:EIJ2cMD30
>エルピーダはポストフラッシュの技術を

エルピーダのハッタリ。資金集めの為。

42 : 栓抜き攻撃(岩手県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:KlOijS1s0
>>39
というより、サムソンはサムソンで頑張ってますねというニュース。

43 : セントーン(山形県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:LjCgqhAJ0
サムソンは大型有機ELパネルの時も量産開始とか言ってなかったか?
ありゃ予定だっけか?

44 : ミラノ作 どどんスズスロウン(芋):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:VKcF8WBM0
>>24
不揮発性メモリはDRAMの次世代的な位置だろ
ストレージまるごと置き換える可能性も無きにしもあらずだが
かなり先の話になる

45 : ニールキック(千葉県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:T+DcDS400
一方アメリカは、量子コンピュータD-Wave Oneを発売した。

46 : キングコングニードロップ(やわらか銀行):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:WLR3TYW50
36 2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:3J6CAZpy
下がった株価吊り上げるとばしだろ?
まっ今の韓国とサムスンの状況じゃドーピングにはならんだろうがな

54 2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:0OK47V+v
株価操作だろうな
嘘だとばれた時の暴落が凄いが

56 2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:qZehikbD
>>54
サムスンとかってこういうの出す場合に、普通、試作が成功した事と量産化はいつから
って出ると思うんだけど、あったかな?w
もう作ってます、特許も出願中です ってなんかまとめてきてないw?

57 2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:0OK47V+v
>>56
急に出てきたよなw

62 2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:oXw//agD
>>56
「実は全て願望だったニダ…
韓国に対する愛はないニカ〜?火病!」
ってなところかな?

47 : タイガースープレックス(岡山県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:bVBa+BzY0
>>40
積層でbit数でなく、セル自体をエリア毎に分割して、1bit毎書き込むような構造
実際、しきい値の電荷の量は分割されてる分減るが、絶縁膜へのダメージは
従来のタイプのNANDより抑えられる分、寿命も延びる算段

>>43
現状割とセミコンダクタ部門のリリースは正しい、他部門は専門外で知らんのだけどね
51〜32/27/21/19nm世代と、全て直ぐに製品が出てきてる

48 : ムーンサルトプレス(鹿児島県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:bwOTOinS0
記事をよく読むと(半島側のも)、いつから出荷とか、製品を目にするのがいつ頃かも
書いて無いんだよねぇ。
有機ELの時に書いて失敗した教訓かい?w

49 : アルゼンチンバックブリーカー(関西・東海):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:ZnEywdT+O
>>48
いちいちネトウヨが首突っ込むニュースじゃねーだろw
勝ち負けとかねーから

50 : フロントネックロック(大阪府):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:0oCq4ymq0
世代交代が控えてるということか。
今買うな。時期が悪い。

51 : ムーンサルトプレス(鹿児島県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:bwOTOinS0
東芝、次世代半導体メモリー「MRAM」を来年サンプル出荷
http://www.asahi.com/tech_science/nikkanko/NKK201307180015.html

【速報】オバマ大統領の「アップル」拒否権発動でサムスンの時価総額が1日でヤバイことになってた━━━━(゚∀゚)━━━━!!
http://crx7601.com/archives/31292753.html

これらに焦ってやらかしてるんでしょどうせw

52 : タイガースープレックス(岡山県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:bVBa+BzY0
東芝のMRAMは韓国SK hynixとの共同開発だけどなw

53 : ムーンサルトプレス(鹿児島県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:bwOTOinS0
>>52
>>51 の記事にもちゃんと書いてあるよ。

54 : TEKKAMAKI(神奈川県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:CQXc0M4F0
>>51
現時点のMRAMは、コスト的にも容量的にもFlash対抗は不可
いつかはFlashを追い抜くのか、それとも長期間フラッシュに追いつけないのかはわからん

55 : 腕ひしぎ十字固め(大阪府):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:/FtLVoZU0
三次元NAND→次世代不揮発性メモリ

の流れは業界共通だろう
東芝だって三次元NANDは研究してるし研究発表も一番早かった気がする(BiCSとか)
けど量産一番はサムスンなのが残念だな

次世代不揮発性メモリは色々あるけど

ReRAM - NAND置き換え
STT-MRAM - DRAM置き換え

が今は本命じゃなかろうか

56 : リバースパワースラム(愛知県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:oiMp6dr20
東芝が3次元NANDを2014年上期に量産、「Samsungには圧倒的に勝てる」と田中社長
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20130807/296700/
> BiCSの量産品では「競合他社の追随を許さない、断トツに小さいチップ・サイズ(チップ面積)を実現する」(田中氏)という。
> そのため、前日(2013年8月6日)に3次元NANDの量産開始を発表した韓国Samsung Electronics社に対して
> 「(量産開始で)半年以上遅れているという(表面的な)捉え方をしないでほしい」と東芝の競争優位性を強調した。

57 : キングコングニードロップ(やわらか銀行):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:WLR3TYW50
東芝やるじゃん

58 : ドラゴンスクリュー(岡山県):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:Ha+5sKo30
スゲぇライバル意識丸出しだなw

59 : キングコングニードロップ(やわらか銀行):2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:WLR3TYW50
日本企業はこういうのが足りない
直球でいい感じだ

60 : 垂直落下式DDT(catv?):2013/08/08(木) NY:AN:NY.AN ID:vrCkYGzf0
>>56
東芝のやせ我慢。
3dの半年以上の遅れは致命的。

61 : 垂直落下式DDT(catv?):2013/08/08(木) NY:AN:NY.AN ID:vrCkYGzf0
Tlc も遅れているし、3Dも遅れているしダメだなこりゃ

1xnmの微細加工は東芝の技術というより、半導体製造装置の技術だから、同じ機械使えばサムスンも生産できるんだよ

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